- MP1916
MP1916
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概要
MP1916は、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションにおいて、低ゲート電圧でエンハンスメントモード窒化ガリウム (GaN) MOSFETおよびNチャネルMOSFETを駆動するように設計されたMOSFETドライバです。独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力をもっています。
MP1916は、MPS独自のブートストラップ (BST) 技術をHS-FETドライバ電圧に採用し、最大100Vまで動作可能です。BST充電技術は、HS-FETドライバ電圧が供給電圧 (VCC) を超えないようにし、ゲート電圧 (VGATE) がエンハンスメントモードGaN MOSFETの最大ゲートソース間電圧 (VGS) 定格を超えないようにします。
MP1916は、ゲートループにインピーダンスを追加することにより、MOSFETのターンオン / ターンオフ速度制御を独立した2つのゲートをもっています。
MP1916は、WLCSP-12L (2mm x 2mm) パッケージで提供されます。
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機能と利点
- 独立したハイサイド (HS) およびローサイド (LS) ロジック入力
- 100VDCまで動作するハイサイドMOSFET (HS-FET) フローティングバイアス電圧レール
- 調整可能なターンオンおよびターンオフスピード制御用の独立したゲート出力
- 4.5V〜5.5Vの電源電圧 (VCC)
- 0.2Ωのプルダウン抵抗と1.3Ωのプルアップ抵抗
- 高速伝播時間 (通常17ns)
- 優れた伝播遅延のマッチング (通常1.5ns)
- WLCSP-12L (2mm x 2mm) パッケージで提供
入手可能な製品番号
MP1916GC-Z MP1916GC-P
PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します
P&Zの意味 
MP1916 Resources
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APPLICATION
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電動工具アプリケーション電動工具は、小規模な住宅改修を行う日常の消費者から建設および保守の専門家まで、幅広い顧客にさまざまな機能を提供します。このため、電動工具の設計には高い自由度が要求されることが多く、電力と安全性の要件が厳しくなります。ワイヤレスの電動工具とコード付き電動工具はどちらも、性能や使いやすさを犠牲にすることなく、コンパクトなサイズで高効率を提供できなければなりません。どちらのタイプも長い生産寿命を提供することが期待されていますが、ワイヤレスの電動工具には、超低待機電力を備えた効率的で長持ちする電池システムを含めるという追加の要件があります。一部の最先端の設計では、新しいスマート機能、ワイヤレス接続、革新的なユーザーインタフェースが提供され始めていますが、コストを大幅に増やすことなく提供する必要があります。 MPSの高効率モータ・ドライバ、バッテリーチャージャと保護回路、整流器、クレードルとスイッ...
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PRODUCT CATEGORY
MOSFETドライバ製品カテゴリ -
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MP18024製品100V、4A、高周波、ハーフブリッジ・ゲートドライバ
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ARTICLE
磁気絶縁による複数の独立した補助電源の設計寄稿文DC/DCコンバータでは、複数のスイッチング素子の補助電源に独立した絶縁電源が必要です。フルブリッジ コンバータを例に挙げると、ブリッジアームのハイサイドMOSFETとローサイドMOSFET (それぞれHS-FETとLS-FET) には、ゲート ドライバ回路用の絶縁電源が必要です。従来の方式では、ブートストラップ回路を使用して、上部と下部の両方のデバイスに1つの独立した電源で電力を供給します。このソリューションはシンプルで信頼性が高く、低コストです。 複数のスイッチMOSFETがブリッジアーム内で直列に接続されている場合、電源に複数のブートストラップ回路が必要となり、コスト面での課題へとつながります。同時に、ブートストラップ回路では、HS-FETの電源電圧はLS-FETの電源電圧よりも低く、ダイオードの電圧降下分の差があります。2つのMOSFETのオン状態特性は完全に対称ではありません。...
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ARTICLE
MOSFETの選択による電源効率の最適化寄稿文電源を設計する場合は、効率のために設計を最適化することが常に重要です。効率の向上により、エネルギーが節約され、発熱が減少し、電源のサイズを縮小することさえできます。 本稿では、ハイサイドMOSFET (HS-FET) とローサイドMOSFET (LS-FET) の数の割合をどう選択して、電源設計の効率を向上するかについて説明します。 図1に、HS-FETとLS-FETを備えた簡略化回路を示します。 MOSFETを選択する際には、電力エンジニアは最適な効率を得るためにHS-FETとLS-FETの内部抵抗の分配で苦労する場合があります。 効率を考慮してMOSFETを選択する場合、設計者は伝導損失とスイッチング損失の間で最適化する必要があります。導通損失は、MOSFETが閉じているときに発生し、オン抵抗を流れる電流が原因です。スイッチング損失は、MOSFETをオン / オ...
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