MP8699B

MP8699Bは、エンハンスメントモードの窒化ガリウム (GaN) FETと低いゲートしきい値のNチャネルMOSFETを、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで駆動するように設計されています。MP8699Bは、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を採用しています。

ICは、HSドライバ電圧にブートストラップ (BST) 技術を採用し、100Vまで動作できます。新しい充電技術はHSドライバ電圧をVCC電圧以下に保ち、ゲート電圧がエンハンスメントモードGaN FETの最大ゲートソース定格電圧を超えないようにします。

MP8699Bには2つの独立したゲート出力があり、ゲートループにインピーダンスを加えることにより、ターンオンおよびターンオフ機能を別々に調整できます。

MP8699Bは、WLCSP-12L (2mm x 2mm) パッケージで提供されます。