MP8699B
Session popupval
Session textval
Session Titefor popup
Show default content
概要
MP8699Bは、エンハンスメントモードの窒化ガリウム (GaN) FETと低いゲートしきい値のNチャネルMOSFETを、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで駆動するように設計されています。MP8699Bは、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を採用しています。
ICは、HSドライバ電圧にブートストラップ (BST) 技術を採用し、100Vまで動作できます。新しい充電技術はHSドライバ電圧をVCC電圧以下に保ち、ゲート電圧がエンハンスメントモードGaN FETの最大ゲートソース定格電圧を超えないようにします。
MP8699Bには2つの独立したゲート出力があり、ゲートループにインピーダンスを加えることにより、ターンオンおよびターンオフ機能を別々に調整できます。
MP8699Bは、WLCSP-12L (2mm x 2mm) パッケージで提供されます。
-
もっと見る
Show less
機能と利点
- 独立したハイサイド (HS) およびローサイド (LS) TTLロジック入力
- 100VDCまで動作するHSフローティングバイアス電圧レール
- 独立したゲート出力による調整可能なターンオンおよびターンオフ機能
- 2V〜5.5VのVCC範囲
- 2Ωのプルダウン抵抗、1Ωのプルアップ抵抗
- 高速伝播時間 (通常17ns)
- 優れた伝播遅延のマッチング (通常1.5 ns)
- WLCSP-12L (2mm x 2mm) パッケージで提供
アクティブ部品番号
MP8699BGC-Z MP8699BGC-P
PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します
P&Zの意味 
Log in to your account
新しいアカウントを作成する