MPQ1918-AEC1

MPQ1918-AEC1は、エンハンスメントモードの窒化ガリウム (GaN) FETと低ゲートしきい値電圧のNチャネルMOSFETを、ハーフブリッジまたは同期アプリケーションで駆動するように設計されています。MPQ1918-AEC1は、独立したハイサイド (HS) とローサイド (LS) のパルス幅変調 (PWM) 入力を採用しています。

MPQ1918-AEC1は、HSドライバ電圧にブートストラップ (BST) 技術を採用し、100Vまで動作できます。この新しい充電技術により、HSドライバ電圧が5Vのドライバ供給電圧 (VCC) を超えることを防ぎます。これにより、ゲート電圧が、エンハンスメントモードGaN FETの最大ゲートソース間定格電圧を超えないようにします。

このデバイスには2つの独立したゲート出力を備えています。これらの出力は、ゲートループにインピーダンスを加えることにより、ターンオンおよびターンオフの機能を独立して調整できます。ICは数MHzまで動作可能です。

MPQ1918-AEC1は、ウェッタブルフランクのEMIに最適化したFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供されます。