- HFG610-65
HFG610-65
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概要
HFG610-65は、高性能および高周波設計に適したGaN HEMTを内蔵した擬似共振 (QR) フライバックレギュレータです。従来のQRフライバックレギュレータとは異なり、HFG610-65の周波数フォールドバックにより、負荷範囲全体にわたって高い効率を保証できます。
HFG610-65 は、二次側調整 (SSR) ベースの一次側レギュレータであり、二次側フィードバック回路 (TL431やオプトカプラなど) と連携して動作する必要があります。周波数が高くなると受動素子のサイズが縮小し、より高い電力密度を実現します。HFG610-65は、バーストモードでの超低静止電流 (自己消費電流) に加え、高電圧起動回路とXコンデンサ放電回路を統合しています。その結果、無負荷時の消費電力は30mW未満に抑えられます。
HFG610-65は特許取得済みのバレーロック技術を採用しており、動作中にバレーの跳ね上がりが抑制され、可聴ノイズを完全に防止できます。広いVCC電圧 (VCC) 範囲により、HFG610-65は追加の補助巻線なしで広い出力電圧 (VOUT) のアプリケーションに適しています。
HFG610-65は、プライマリセンス出力過電圧保護 (ZCD OVP)、プライマリセンス出力低電圧保護 (ZCD UVP) 、VCC過電圧保護 (VCC OVP)、出力過負荷保護 (OLP)、内部ブラウンイン (B/I) またはブラウンアウト (B/O)、短絡保護 (SCP)、電流検知開放 / 短絡保護 (CSOP/SSP)、内部サーマルシャットダウン (OTP)、低電圧誤動作防止機能 (UVLO) などの高度な保護機能を備えています。
HFG610-65は、QFN-25 (7mm x 7mm) パッケージで提供されます。
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機能と利点
- 700V/165mΩ GaN HEMTを統合
- 可聴ノイズを排除する新しい特許取得済みの擬似共振 (QR) 制御
- 低負荷時の消費電力を抑える周波数フォールドバックとバーストモード
- USB電源供給 (PD) アプリケーション用の超ワイドなVCC電圧 (VCC) 範囲
- Xコンデンサディスチャージャ内蔵
- 高電圧起動回路内蔵
- Pdプロトコル ICによる超低スタンバイ消費電力 (<30mW)
- ピーク電流モード制御とリーディング・エッジ・ブランキング
- 低電圧誤動作防止機能 (UVLO)
- VCC 過電圧保護 (OVP)
- ゼロ電流検出 (ZCD) 過電圧保護 (OVP) および低電圧保護 (UVP)
- 過負荷保護 (OLP)
- 内部ブラウンアウト (B/O) およびブラウンイン (B/I) 保護
- 短絡保護 (SCP)
- 電流検知開放 / 短絡保護 (CSOP / SSP)
- 過熱保護 (OTP)
- QFN-25 (7mm x 7mm) パッケージで提供

入手可能な製品番号
HFG610GQN-65-Z HFG610GQN-65-P
PとZで終わる部品番号は同じ部品です。PとZはリールサイズのみを示します
P&Zの意味
HFG610-65 Resources
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ARTICLE
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PRODUCT CATEGORY
2次側レギュレーション製品カテゴリ -
ARTICLE
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