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MPL-SE5040

MPS製品のための最適化されたセミシールドインダクター

セミシールド構造

低い磁束漏れ

低抵抗

高電流性能

幅広い値の範囲とサイズ

MPL-SEセミシールドパワーインダクターは磁気特性を向上させるために外部の磁性エポキシ樹脂でシールドされています。これらの設計は、DCRが低く、電流性能が高くなっています。

参照表示列ステータス	L (µH)	RDC (typ) (mΩ)	IR (40K) (A)	Isat (30%) (A)	Operating Temp (max) (℃)	A Dimension (L) (mm)	B Dimension (W) (mm)	C Dimension (H) (mm)	Construction	MPL
テーブルのリセット L (µH) RDC (typ) (mΩ) IR (40K) (A) Isat (30%) (A) Operating Temp (max) (℃) A Dimension (L) (mm) B Dimension (W) (mm) C Dimension (H) (mm) Construction	0.47 1.0 1.5 10 15 2.2 22 3.3 4.7 6.8	10 10	10 10	10 10	+125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	Has MPL

MPL-SE5040-R47 アクティブ Semi-Shielded Inductor 0.47µH	0.47	7.3	8.0	16	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-1R0 アクティブ Semi-Shielded Inductor 1.0µH	1.0	9.4	7.6	10.5	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-1R5 アクティブ Semi-Shielded Inductor 1.5µH	1.5	14	6.2	9.3	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-2R2 アクティブ Semi-Shielded Inductor 2.2µH	2.2	16	5.4	7.9	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-3R3 アクティブ Semi-Shielded Inductor 3.3µH	3.3	22	5.2	6.4	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-4R7 アクティブ Semi-Shielded Inductor 4.7µH	4.7	33	4.3	5	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-6R8 アクティブ Semi-Shielded Inductor 6.8µH	6.8	45	3.5	4.6	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-100 アクティブ Semi-Shielded Inductor 10µH	10	56	3.2	3.6	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-150 アクティブ Semi-Shielded Inductor 15µH	15	83	2.5	2.9	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0
MPL-SE5040-220 アクティブ Semi-Shielded Inductor 22µH	22	124	2.1	2.4	125°C	4.90	4.90	4.0	SMD	0

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