SiC / IGBT 電源の使用事例 : エネルギー貯蔵システム (ESS)

事例

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本使用事例では、エネルギー貯蔵システム (ESS) でのシリコンカーバイド (SiC) または絶縁ゲートバイポーラトランジスタ (IGBT) MOSFETのバイアス用のMPQ18913のアプリケーションについて調べます。

MPQ18913絶縁ゲートドライバ電源のLLCソフトスイッチングトポロジーと低リーク電流により、エネルギー貯蔵システムの絶縁を最適化し、効率を向上させ、ソリューション全体のサイズを縮小できます。

意欲的な排出目標と持続可能性の取り組みを考慮して、再生可能エネルギーへの移行が加速しています。再生可能エネルギーのインフラを開発することは、風力、太陽光、地熱、水力などの断続的なエネルギー源を効果的に統合し、管理するために重要です。エネルギー貯蔵システムは、需要が低いときに余剰エネルギーを貯蔵し、需要が高いときにそれを分配する再生可能エネルギーインフラの不可欠な部分です。従来、部品間の絶縁にはトランスとオプトカプラが使用されてきましたが、ESSの高電圧と高エネルギー密度により、十分な絶縁を実現することが困難になることがよくあります。

MPQ18913絶縁ゲートドライバ電源のLLCソフトスイッチングトポロジーと低リーク電流により、エネルギー貯蔵システムの絶縁を最適化し、効率を向上させ、ソリューション全体のサイズを縮小できます。MPQ18913は、それぞれSiCまたはIGBTにバイアスをかけるための+15 / -4Vまたは+15/-8Vの絶縁電源を生成できます。その他の出力電圧 (V_OUT) オプションは、トランスの設計と巻数比に基づいて実現できます。この絶縁ゲートドライバ電源は、コントローラと2つの統合スイッチングFETをコンパクトなデバイスに組み合わせています。

さらに、MPQ18913は、故障インジケータと、入力過電圧保護 (OVP)、過熱保護 (OTP)、過電流保護 (OCP) などの豊富な保護機能を提供します。ウェッタブルフランクを備えた超小型QFN-10 (2mm x 2.5mm) パッケージで提供されます。

付加機能は以下のとおりです :

• 高パフォーマンス :
• 最大5MHzの調整可能なスイッチング周波数 (f_SW)
• EMI低減用の周波数スペクトラム拡散 (FSS)
• 最大6Wの連続出力電力 (P_OUT) に対応
• 5V～30Vの入力電圧 (V_IN) 範囲
• 車載環境用の堅牢な設計 :
• -40℃～+150℃のジャンクション温度 (T_J) 範囲
• AEC-Q100 グレード1で利用可能

さまざまなアプリケーションのパワートレインの電動化向けに設計されている、MPSの革新的な絶縁ソリューションファミリを発見しましょう。