EVQ1918-QE-01A

EVQ1918-QE-01Aは、エンハンスメントモード窒化ガリウム (GaN) FET、またはハーフブリッジまたは同期アプリケーションで低ゲートしきい値電圧NチャネルMOSFETの駆動に使用できるハーフブリッジドライバであるMPQ1918-AEC1の機能を実証するために設計された評価ボードです。

EVQ1918-QE-01Aは、MPQ1918-AEC1によって駆動されるGaN FETを使用する降圧コンバータとして構成されています。これはオープンループ制御に対応し、パルス幅変調 (PWM) 信号のデューティサイクルを調整することによって出力電圧 (V_OUT) を設定できます。

簡単にするため、必要なPWM信号は1つだけです。オンボード回路は、適切なデッドタイム (DT) を備えたPWML信号とPWMH信号を生成します。実際のシステムでは、コントローラがDT調整を行う必要があります。

MPQ1918-AEC1は、ウェッタブルフランクのFCQFN-14 (3mm x 3mm) パッケージで提供されます。