EV1906-S-00A
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概要
これはMP1906のEVボードのドキュメントです。MP1906は、12Vゲート電源をもつハーフブリッジ構成で2つの外付けN-MOSFETを駆動できる高性能な80Vゲートドライバです。独立したゲート入力信号に対応し、シュートスルーを防止します。電圧ロックアウト中は、低電源状態下での誤動作を防ぐために、ハイサイドおよびローサイドドライバの出力がLowになります。高電流駆動能力と短いデッドタイムにより、大電力と高効率の電源アプリケーションに適しています。
このデモボードはハーフブリッジに構成されています。簡単にするために、HPWMとLPWMは一緒に接続され、NE555によって生成された同じ PWM信号によって駆動されます。ユーザーはMP1906の性能を簡単に評価できます。
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評価対象製品
機能と利点
- 2つの低コストで、高効率なNMOSFETを駆動
- 10V～16Vゲートドライブ電源
- 3.3V、5Vロジック互換性
- 80nsの伝播遅延時間
- 90μA未満の静止電流
- 両チャンネルの低電圧誤動作防止機能
- 入力信号のオーバーラップ保護
- 内部デッドタイム150ns
- コンパクトで8ピンのSOICパッケージで提供
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