EVQ1925-R-00A
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概要
EVQ1925-RE-00A評価ボードは、高周波ハーフブリッジゲートドライバであるMPQ1925HRの機能を実証するように設計されています。MPQ1925HRには、12V VDD で3Aのソース電流と4.5Aのシンク電流があります。静止電流 (自己消費電流) は150μA未満です。
MPQ1925HRの統合されたブートストラップ (BST) ダイオードは、外付け部品の数を減らします。デバイスのローサイドMOSFET (LS-FET) およびハイサイドMOSFET (HS-FET) ドライバチャネルは別々に制御され、5ns未満の時間遅延で一致します。供給が不十分な場合、デバイスのHS-FETおよびLS-FET低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 保護により、出力が強制的にLowになります。
MPQ1925HRは、小型のQFN-8 (4mm x 4mm) パッケージで提供されます。これは、モータ・ドライバ、および通信ハーフブリッジ電源、アビオニクスDC/DCコンバータ、2スイッチフォワードコンバータ、アクティブクランプ・フォワードコンバータなどの他の電力制御アプリケーション向けに設計されています。
EVQ1925-R-00Aは降圧コンバータとして構成されています。INHとINLは、お互いに補完するパルス幅変調 (PWM) と適切なデッドタイム (DT) を必要とする独立した信号です。
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評価対象製品
機能と利点
NチャネルMOSFETハーフブリッジを駆動
オンチップブートストラップ (BST) ダイオード
115V BST電圧 (VBST ) 範囲
20nsの伝搬遅延
5ns未満のゲートドライバ・マッチング時間
12V VDD で、15nsの立ち上がり時間と10nsの立ち下がり時間をもった2.2nFの負荷を駆動
トランジスタ・トランジスタロジック (TTL) - 互換入力
150μA未満の静止電流 (自己消費電流)
ハイサイドMOSFET (HS-FET) およびローサイドMOSFET (LS-FET) 低電圧誤動作防止機能 (UVLO) 保護
QFN-8 (4mmx4mm) パッケージで提供
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