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MPL-SE2512

MPS製品のための最適化されたセミシールドインダクター

セミシールド構造

低い磁束漏れ

低抵抗

高電流性能

幅広い値の範囲とサイズ

MPL-SEセミシールドパワーインダクターは磁気特性を向上させるために外部の磁性エポキシ樹脂でシールドされています。これらの設計は、DCRが低く、電流性能が高くなっています。

参照表示列ステータス	L (µH)	RDC (typ) (mΩ)	IR (40K) (A)	Isat (30%) (A)	Operating Temp (max) (℃)	A Dimension (L) (mm)	B Dimension (W) (mm)	C Dimension (H) (mm)	Construction	MPL
テーブルのリセット L (µH) RDC (typ) (mΩ) IR (40K) (A) Isat (30%) (A) Operating Temp (max) (℃) A Dimension (L) (mm) B Dimension (W) (mm) C Dimension (H) (mm) Construction	0.47 0.68 1.0 1.5 10 15 2.2 22 3.3 4.7	10 10	9 9	9 9	+125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	Has MPL

MPL-SE2512-R47 アクティブ Semi-Shielded Inductor 0.47µH	0.47	27	4.5	6.5	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-R68 アクティブ Semi-Shielded Inductor 0.68µH	0.68	33	3.8	4.3	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-3R3 アクティブ Semi-Shielded Inductor 3.3µH	3.3	158	1.8	2.4	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-1R5 アクティブ Semi-Shielded Inductor 1.5µH	1.5	62	2.9	3.2	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-1R0 アクティブ Semi-Shielded Inductor 1.0µH	1.0	45	3.35	4.2	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-2R2 アクティブ Semi-Shielded Inductor 2.2µH	2.2	92	2.5	2.7	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-4R7 アクティブ Semi-Shielded Inductor 4.7µH	4.7	205	1.6	1.9	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-100 アクティブ Semi-Shielded Inductor 10µH	10	400	1.1	1.3	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-150 アクティブ Semi-Shielded Inductor 15µH	15	620	0.85	0.9	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0
MPL-SE2512-220 アクティブ Semi-Shielded Inductor 22µH	22	1000	0.70	0.8	125°C	2.0	2.50	1.20	SMD	0

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