MPL-SE5040

MPS製品のための最適化されたセミシールドインダクター

セミシールド構造
低い磁束漏れ

低抵抗
高電流性能

幅広い値の範囲とサイズ

MPL-SEセミシールドパワーインダクターは磁気特性を向上させるために外部の磁性エポキシ樹脂でシールドされています。これらの設計は、DCRが低く、電流性能が高くなっています。

参照表示列
ステータス
L (µH)
RDC (typ) (mΩ)
IR (40K) (A)
Isat (30%) (A)
Operating Temp (max) (℃)
A Dimension (L) (mm)
B Dimension (W) (mm)
C Dimension (H) (mm)
Construction
L (µH)
RDC (typ) (mΩ)
IR (40K) (A)
Isat (30%) (A)
Operating Temp (max) (℃)
A Dimension (L) (mm)
B Dimension (W) (mm)
C Dimension (H) (mm)
Construction
0.47
1.0
1.5
10
15
2.2
22
3.3
4.7
6.8
+125°C
4.90
4.90
4.0
SMD
MPL-SE5040-R47
新規
Semi-Shielded Inductor 0.47µH
0.47 7.3 8.0 16 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-1R0
新規
Semi-Shielded Inductor 1.0µH
1.0 9.4 7.6 10.5 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-1R5
新規
Semi-Shielded Inductor 1.5µH
1.5 14 6.2 9.3 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-2R2
新規
Semi-Shielded Inductor 2.2µH
2.2 16 5.4 7.9 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-3R3
新規
Semi-Shielded Inductor 3.3µH
3.3 22 5.2 6.4 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-4R7
新規
Semi-Shielded Inductor 4.7µH
4.7 33 4.3 5 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-6R8
新規
Semi-Shielded Inductor 6.8µH
6.8 45 3.4 4.6 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-100
新規
Semi-Shielded Inductor 10µH
10 56 3.2 3.6 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-150
新規
Semi-Shielded Inductor 15µH
15 83 2.5 2.9 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
MPL-SE5040-220
新規
Semi-Shielded Inductor 22µH
22 124 2.1 2.4 +125°C 4.90 4.90 4.0 SMD
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