MP1907

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100V、2.5A 高频半桥栅极驱动



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Product Description

MP1907 是一款高频、100V、半桥、N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端通道驱动通道被分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护在供电不足时强制低输出。检测到输入上升沿时两端的恢复正常输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。

Product Features

  • 驱动 N-通道 MOSFET 半桥
  • 100V VBST 电压范围
  • 输入信号重叠保护
  • 集成自举二极管
  • 20ns 的典型延迟
  • 小于 5ns 的栅极驱动失配
  • 12V VDD 时驱动 1nF 负载具有 15ns 的上升时间和 9ns 的下降时间
  • TTL 可兼容输入
  • 静态电流小于 150μA
  • 关断电流小于 5μA
  • 用于高低两端驱动电压的欠压锁定保护
  • 采用 3×3mm QFN10 封装

Parametrics

  • GradeCatalog
  • PackageQFN-10 (3x3)
  • Bootstrap Supply (max) (V)100
  • trise (ns)12
  • Turn-On Delay (ns)18
  • tfall (ns)9
  • Turn-Off Delay (ns)20
  • Peak Ipull-up (A)1.5
  • Peak Ipull-down (A)2.5
  • Vin (max) (V)18
  • Vin (min) (V)4.5

Evaluation Kit

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Kit details

此评估板用于 MP1907。MP1907 是一款高频、100V、半桥、N-通道功率 MOSFET 驱动器。其低端和高端通道驱动通道被分别独立控制,且匹配时间延迟小于 5ns。高低两端驱动电压的欠压锁定保护在供电不足时强制低输出。集成自举二极管减少了外部元器件的使用。

此演示板配置为降压转换器。INH 和 INL 是2个相互独立的信号。简单起见,用户仅需向演示板和板上电路提供 PWM 信号,便可生成带合适死区时间的 INH 和 INL 信号。在实际系统中,控制器必须调整死区时间。

US$ 25.00 + tax